BiCS FLASH™ | TLC & QLC

铠侠的可扩展BiCS FLASH™ 3D闪存技术将存储器容量再创新高

铠侠的BiCS FLASH™是一种三维(3D)垂直闪存单元结构。 此结构使其能够超越2D(平面)闪存的容量。铠侠的TLC 3位/单元1Tb (128GB*1 ) BiCS FLASH 乃业界首创*2,在提升写入速度的同时也提高了擦写次数的可靠性。本公司还提供采用4位/单元、四层存储单元(QLC)技术的1.33Tb BiCS FLASH™。这是首次采用这项技术的3D闪存设备。*3

铠侠BiCS FLASH™ 3D闪存技术的主要特性

  • 每个芯片的存储容量高于传统闪存
  • 更高的读/写速度性能
  • 比2D(平面)NAND更高的可靠性
  • 低功耗

TLC(三层存储单元)和QLC(四层存储单元)技术

铠侠的BiCS FLASH™ 提供1太比特(Tb)3位/单元、三层存储单元(TLC)和更高容量的QLC技术,实现了更大的芯片容量。铠侠实现了高达1.33太比特(Tb)的业界最大的单芯片容量*4 ,而且其16芯片堆叠架构可以实现高达2.66 太比特(Tb)的最大单一封装容量。

主要特性

  • 密集封装选项
  • 高的单芯片存储容量(高达2.66TB)
  • 良好的性价比

主要应用

  • 企业存储
  • 数据中心存储
  • 客户端计算
  • 移动设备
  • 车载
  • 消费类
  • 工业

引领和推动更高的存储器容量和效率

铠侠是第一个设想并准备将SLC技术成功迁移到MLC、再从MLC迁移到TLC、现在又从TLC迁移到QLC的行业参与者。

铠侠的QLC技术非常适合用于需要高容量、低成本存储解决方案的应用。今天的QLC技术减少了所需的安装空间,实现了单一封装的最高可用容量。

KIOXIA QLC技术实现单一封装的最高容量闪存。
  1. 产品容量即产品内存储芯片的容量,而不是终端用户可用于数据存储的内存容量。由于负载数据区域、格式化、坏块和其他限制,消费者可使用的容量会更少,并且还可能因主控设备和应用而异。详情请参考适用的产品规格。1Gb = 230 位 = 1,073,741,824 位。1GB = 230 字节= 1,073,741,824 字节。
  2. 2007年6月12日,新闻稿
  3. 2017年6月28日,新闻稿
  4. 2018年7月20日,新闻稿

按应用分类的产品

无论是车载应用、紧凑型高性能PC、云服务器和超大规模数据中心部署,铠侠的存储器和存储解决方案通过提供先进的高性能、高密度、低功耗、低延迟、高可靠性等特性,帮助新兴应用取得成功,使现有技术达到预期潜力。

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