三维闪存:BiCS FLASH™

进一步提高闪存的容量

东芝在1987年发明了NAND闪存并率先于1991年量产NAND闪存。至此,东芝一直致力于缩小设计规则和工艺节点以提高NAND闪存的容量。

然而, 工艺过渡面临诸多挑战。通过传统的平面NAND闪存技术来进一步增大容量已经变得极为困难。

为了解决这个问题,东芝发明了闪存芯片垂直层叠的全新工艺。2007年,东芝率先发布了三维(3D)闪存层叠技术。通过进一步开发,东芝推出了3D闪存:BiCS FLASH™

目标应用

随着物联网(IoT)的出现,社交网络(SNS)的流行和更高分辨率的照片和视频的产出,世界范围内产生的数据量呈现指数式的增长。
 

在信息处理领域,实时性能非常重要。大数据系统需要管理大量数据,并将数据分类储存在数据中心和云服务系统中。这种情况下,大容量的存储系统需要高速且低功耗地处理、存储和管理大量数据。

另外,在智能手机、平板电脑、存储卡和其他对功耗敏感的应用中,对低功耗存储的需求也与日俱增。

BiCS FLASH较传统的平面型NAND闪存有诸多优点。它将成为满足市场需求的解决方案。

BiCS FLASH的产品特点

高密度和大容量

垂直层叠的三维(3D)闪存—BiCS FLASH,较之前最先进的技术—二维(2D)闪存,有更高的单位面积芯片密度。此外,通过优化电路设计和生产工艺, BiCS Flash进一步缩小了芯片尺寸。2017年6月28日发布的96层BiCS FLASH在单位面积内可以提供的存储容量大约是64层BiCS FLASH的1.4倍。

更快的编程速度

在BiCS FLASH中存储单元之间的空间远大于2D NAND闪存。这就可以通过增加单次编程序列(One-shot programming sequence)中的数据量来提高编程速度。

高可靠性

BiCS FLASH的存储单元之间更大的空间也减少了单元间的耦合效应。进而提高了可靠性。

低功耗

BiCS FLASH降低了每单位数据编程时的功耗。与2D NAND闪存相比,BiCS FLASH每单次编程序列所写入的数据更多(即:更快的编程速度)。

*Note 1: As of June 12, 2007 (announced by Toshiba)

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