铠侠推出新型3.1版UFS嵌入式闪存设备,突破性能界限

2021年8月11日
铠侠株式会社

基于第五代BiCS FLASH™ 3D闪存打造;为要求严苛的应用提供更薄的封装和更快的读/写速度

UFS Ver. 3.1 embedded flash memory devices

东京--全球存储器解决方案领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今天宣布推出新一代256GB和512GB UFS 3.1版嵌入式闪存设备的样品。新产品封装高度分别为0.8和1.0毫米,随机读取性能提高约30%,随机写入性能提高约40%[1],相比前代产品更薄[2]、速度更快。铠侠的新型UFS设备采用该公司的第五代BiCS FLASH™ 3D高性能闪存,面向包括高端智能手机在内的各种移动应用。

很多采用嵌入式闪存的应用中,除了对功耗和空间敏感之外,仍然需要更高的性能和存储密度,因此,UFS逐渐成为首选解决方案。从总容量的角度来看,与e-MMC相比,UFS占绝大部分的需求。据Forward Insights[3]的调查结果显示,在全球UFS和e-MMC GB的总体需求中,今年UFS的需求量几乎达到了70%,而且这一数字还将继续增长。

新的UFS 256GB和512GB设备包括以下改进:

  • 随机读取性能增加约30%,随机写入性能增加约40%。
  • Host Performance Booster(HPB)2.0版:利用主机端内存存储部分逻辑物理转换表,从而提高随机读取性能。HPB 1.0版只支持4KB大小地址块的访问,而HPB 2.0版支持更大范围的访问,可进一步提高随机读取性能。
  • 更薄的封装,256GB高度仅为0.8毫米。


[1] 与铠侠上一代256/512GB UFS相比。
[2] 在256GB存储密度条件下,与铠侠上一代256GB UFS相比。
[3] Forward Insights “NAND Quarterly Insights” 第二季度(2021年)

读写速度可能因主机设备、读写条件和文件大小而有所不同。

 

在提及铠侠产品时:产品密度是根据产品内存芯片的密度来确定的,而非最终用户可用于数据存储的内存容量。由于存在开销数据区域、格式化信息、坏块和其他限制条件,用户可用容量将会减少,并且还可能因主机设备和应用程序而有所不同。详细信息请参阅适用的产品规格说明。1KB=2^10字节=1,024字节。1Gb=2^30比特=1,073,741,824比特。1GB=2^30字节=1,073,741,824字节。1Tb=2^40比特=1,099,511,627,776比特。

 

*本文提及的其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

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