铠侠利用四层存储单元(QLC)技术推进UFS 3.1版嵌入式闪存设备的开发

2022年1月19日
铠侠株式会社

Proof of Concept (PoC) Samples of UFS Ver. 3.1 Embedded Flash Memory Devices with Quad-level-cell (QLC) Technology

东京—存储解决方案的全球领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今天宣布发布通用闪存(UFS) 3.1版[1]嵌入式闪存设备。该设备采用了其创新的每单元4比特的四层存储单元(QLC)技术。铠侠的QLC技术能够在单个封装中实现极高的存储密度,满足高端智能手机等需要高存储容量的应用需求。

铠侠的UFS概念验证(PoC)设备是一个512Gbyte 的原型,其采用该公司基于QLC技术的1Tbit(128Gbyte )BiCS FLASH™ 3D闪存,目前正向OEM客户提供样品。受更高的分辨率图像、5G网络、4K以上视频等应用的推动,这款概念验证设备旨在满足移动应用程序对性能和存储容量的日益增长的需求。


[1] 通用闪存(UFS) 是根据JEDEC UFS标准规范建立的一类嵌入式存储产品的产品类别。UFS使用串行接口,具有全双工和同时与主机设备进行读/写通信的优势。

 

正在开发的概念验证设备样品有一些功能限制。此外,设备的规格可能会发生改变,恕不另行通知。

 

每次提及铠侠产品时:产品密度是根据产品内的内存芯片密度来确定的,而不是最终用户可用于数据存储的内存容量。消费者可使用的容量会因开销数据区域(overhead data areas)、格式化、坏块和其他限制而变少,而且也可能因主机设备和应用程序而变化。如需了解详情,请参考适用的产品规格。

 

本新闻稿提及的所有公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

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铠侠株式会社
Memory Sales & Marketing Division
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